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半导体分为哪些类型?

来源:华科   |   发布日期:2024-05-30

一、n型半导体
n型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主. ⅲ-ⅴ族化合物半导体的施主往往采用ⅳ或ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是n型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度。

二、p型半导体
p型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。
形成
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成p型半导体。在p型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于p型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故p型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。

特点:
(一)、n型半导体
由于n型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故n型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
(二)、p型半导体
掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
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